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获颁会责掺杂后MD和DD器件的ne均增大。中国装备制造二维半导体中的掺杂可以通过元素的原子替换或分子表面的电荷转移来实现。

但对于DD器件，业企业社μ4p在200K左右达到一个峰值，随着温度进一步下降而逐渐减小。任履本工作比较了相同浓度45%PPh3溶液掺杂的调制掺杂(MD)WSe2/hBN/MoS2和直接掺杂(DD)MoS2 FETs的相关输运特性。图2.基于电荷转移的WSe2/hBN/MoS2异质结构的远程调制掺杂三、典范MoS2MODFETs中的温度依赖性电子输运。

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